SIR802DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0041 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 27.7 W
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1785pF @10VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 4600 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK SO
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIR802DP-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIR802DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIR802DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 20 V, 0.0041 ohm, 10 V, 600 mV | 搜索库存 |