SUD50N03-06AP-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0078 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 10 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 90.0 A
输入电容Ciss 3800pF @15VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 10000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
高度 2.39 mm
封装 TO-252
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SUD50N03-06AP-E3引脚图与封装图
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在线购买SUD50N03-06AP-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SUD50N03-06AP-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | N 沟道 30 V 5.7 mOhms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252 | 搜索库存 |