SI7858BDP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 5000 mW
上升时间 53 ns
输入电容Ciss 5760pF @6VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7858BDP-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7858BDP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N沟道12 V （D -S ）的MOSFET N-Channel 12 V D-S MOSFET | 搜索库存 |