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SI7110DN-T1-E3

SI7110DN-T1-E3

数据手册.pdf

Trans MOSFET N-CH 20V 13.5A 8Pin PowerPAK 1212 T/R

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


贸泽:
MOSFET 20V 21.1A 0.0053Ohm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 13.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Allied Electronics:
MOSFET; N-Channel 20-V D-S Fast Switching


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 13.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


富昌:
单 N 沟道 20 V 4.9 mOhms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK 1212-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 13.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Newark:
# VISHAY  SI7110DN-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 21.1 V, 5.3 mohm, 10 V, 2.5 V


SI7110DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0053 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 800 mW

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 21.1 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 10 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

长度 3.15 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI7110DN-T1-E3引脚图与封装图
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SI7110DN-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 Trans MOSFET N-CH 20V 13.5A 8Pin PowerPAK 1212 T/R 搜索库存