SUD42N03-3M9P-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 2
漏源极电阻 0.0032 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 3535pF @15VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 73.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 TO-252
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SUD42N03-3M9P-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SUD42N03-3M9P-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SUD42N03-3M9P-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 30 V, 3200 µohm, 10 V, 1 V | 搜索库存 |