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SIR164DP-T1-GE3

SIR164DP-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SIR164DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 2.05 mohm, 10 V, 1.2 V

* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition * TrenchFET® Gen III Power MOSFET * New MOSFET Technology Optimized for Ringing Reduction in Switching Application * 100 % Rg and UIS Tested * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC


e络盟:
VISHAY  SIR164DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 2.05 mohm, 10 V, 1.2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
单通道 N 沟道 30 V 50 A 69 W 1.8 mOhm 功率 MOSFET - SOIC-8


SIR164DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 2.05 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 69 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 41 ns

输入电容Ciss 3950pF @15VVds

下降时间 39 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SIR164DP-T1-GE3引脚图与封装图
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SIR164DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SIR164DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 2.05 mohm, 10 V, 1.2 V 搜索库存