SI7114DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0062 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.5 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 18.3 A
上升时间 10 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK-1212-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI7114DN-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7114DN-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7114DN-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.7 A, 30 V, 0.0062 ohm, 10 V, 1 V | 搜索库存 |