![SI7820DN-T1-E3](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_348/chanpintu/si7820dn-t1-e3-TG84ZWM1-eZnDKyXoA.png)
SI7820DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 2.60 A
上升时间 12 ns
下降时间 17 ns
封装参数
引脚数 8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7820DN-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI7820DN-T1-E3
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
SI7820DN-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | N沟道200 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 200-V D-S MOSFET | 搜索库存 |