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SI7322DN-T1-GE3

SI7322DN-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI7322DN-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 100V, 18A, POWERPAK

The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary switch and isolated DC-to-DC converter applications.

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100% UIS tested
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Halogen-free
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-55 to 150°C Operating temperature range

贸泽:
MOSFET 100V 18A 52W 58mohm @ 10V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


富昌:
单 N沟道 100 V 0.058 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - PowerPAK-1212-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Newark:
# VISHAY  SI7322DN-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 100 V, 0.048 ohm, 10 V, 2.5 V


SI7322DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.048 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 52 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 18.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAK-1212-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

SI7322DN-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI7322DN-T1-GE3
型号 制造商 描述 购买
SI7322DN-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI7322DN-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 100V, 18A, POWERPAK 搜索库存
替代型号SI7322DN-T1-GE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI7322DN-T1-GE3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: PowerPAK N-Channel 100V 18A

当前型号

VISHAY  SI7322DN-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 100V, 18A, POWERPAK

当前型号

型号: SIS892ADN-T1-GE3

品牌: 威世

封装: PowerPAK N-Channel

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