SI7308DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.072 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
封装 1212
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7308DN-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI7308DN-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI7308DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7308DN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 6A, POWERPAK | 搜索库存 |
替代型号SI7308DN-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： SI7308DN-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： PowerPAK N-Channel 60V 6A | 当前型号 | VISHAY SI7308DN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 6A, POWERPAK | 当前型号 |
| 型号： SI7308DN-T1-E3 品牌： 威世 封装： PowerPAK N-Channel 60V 6A | 完全替代 | VISHAY SI7308DN-T1-E3 晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 6 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 3 V 新 | SI7308DN-T1-GE3和SI7308DN-T1-E3的区别 |