SI7848BDP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
额定功率 4.2 W
漏源极电阻 0.0074 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 4.2 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 47.0 A
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 2000pF @20VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 4200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
外形尺寸
高度 1.04 mm
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7848BDP-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI7848BDP-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7848BDP-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | N通道40 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 40-V D-S MOSFET | 搜索库存 |