SI8409DB-T1-E1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.038 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.47 W
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds -30.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids -6.30 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 4
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI8409DB-T1-E1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI8409DB-T1-E1 | Vishay Semiconductor 威世 | P沟道 30 V 漏-源 MOSFET | 搜索库存 |