SI4386DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0058 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 9 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1470 mW
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
高度 1.55 mm
封装 SOIC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4386DY-T1-E3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI4386DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |