SIR462DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0065 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 41.7 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1155pF @15VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 4.8 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 5.89 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK SO
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIR462DP-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SIR462DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIR462DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIR462DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号SIR462DP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIR462DP-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： PowerPAK N-Channel 30V 30A | 当前型号 | VISHAY SIR462DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
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| 型号： SI7386DP-T1-GE3 品牌： 威世 封装： PowerPAK N-Channel 30V 19A | 类似代替 | VISHAY SI7386DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 19A, SOIC | SIR462DP-T1-GE3和SI7386DP-T1-GE3的区别 |
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