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SI5410DU-T1-GE3

SI5410DU-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI5410DU-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 40V, 12A POWERPAK, 整卷

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


e络盟:
VISHAY  SI5410DU-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 40V, 12A POWERPAK, 整卷


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 9.8A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R


Allied Electronics:
SI5410DU-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 12 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 9.8A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R


Newark:
# VISHAY  SI5410DU-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 40 V, 0.015 ohm, 10 V, 1.2 V


SI5410DU-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.015 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 31 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1350pF @20VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 31 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 ChipFET

外形尺寸

长度 3.08 mm

宽度 1.98 mm

高度 0.85 mm

封装 ChipFET

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI5410DU-T1-GE3引脚图与封装图
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