SI7386DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0058 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.8 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 19.0 A
上升时间 9 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
外形尺寸
封装 PowerPAK SO
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI7386DP-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI7386DP-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7386DP-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7386DP-T1-E3. 晶体管, N沟道 | 搜索库存 |
替代型号SI7386DP-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7386DP-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： PowerPAK N-Channel 30V 19A | 当前型号 | VISHAY SI7386DP-T1-E3. 晶体管, N沟道 | 当前型号 |
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