SIA414DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.009 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.5 W
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 8 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
上升时间 10 ns
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70
外形尺寸
封装 SC-70
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIA414DJ-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SIA414DJ-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIA414DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIA414DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 8 V, 0.009 ohm, 4.5 V, 800 mV | 搜索库存 |
替代型号SIA414DJ-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIA414DJ-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SC-70 N-Channel 8V 12A | 当前型号 | VISHAY SIA414DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 8 V, 0.009 ohm, 4.5 V, 800 mV | 当前型号 |
| 型号： SIA436DJ-T1-GE3 品牌： 威世 封装： PowerPAK N-Channel | 类似代替 | VISHAY SIA436DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 8 V, 0.0078 ohm, 4.5 V, 350 mV | SIA414DJ-T1-GE3和SIA436DJ-T1-GE3的区别 |