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SI3499DV-T1-GE3

SI3499DV-T1-GE3

数据手册.pdf

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


贸泽:
MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R


富昌:
Single P-Channel 8 V 0.023 Ohm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TSOP-6


Verical:
Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R


Newark:
# VISHAY  SI3499DV-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -7 A, -8 V, 0.019 ohm, -4.5 V, -350 mV


SI3499DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.019 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.1 W

漏源极电压Vds -8.00 V

连续漏极电流Ids -7.00 A

上升时间 65 ns

下降时间 110 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI3499DV-T1-GE3引脚图与封装图
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