SI3437DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.61 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3.2 W
输入电容Ciss 510pF @50VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
外形尺寸
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
高度 1 mm
封装 TSOP
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
SI3437DV-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI3437DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | P 通道 MOSFET，100V 至 400V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |