SI7655ADN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.003 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 57 W
输入电容Ciss 6600pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 4800 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
高度 0.78 mm
封装 PowerPAK-1212-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Portable Devices
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI7655ADN-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI7655ADN-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7655ADN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7655ADN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -20 V, 0.003 ohm, -10 V | 搜索库存 |
替代型号SI7655ADN-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7655ADN-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： PowerPAK-1212-8 P-Channel | 当前型号 | VISHAY SI7655ADN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -20 V, 0.003 ohm, -10 V | 当前型号 |
| 型号： SI7655DN-T1-GE3 品牌： 威世 封装： PowerPAK P-Channel | 类似代替 | VISHAY SI7655DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -20 V, 0.003 ohm, -10 V, -500 mV | SI7655ADN-T1-GE3和SI7655DN-T1-GE3的区别 |