SIS456DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0042 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 52 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 1800pF @15VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3800 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK-1212-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIS456DN-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIS456DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N沟道30 V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30 V D-S MOSFET | 搜索库存 |