SI4894BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.016 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.4 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI4894BDY-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI4894BDY-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4894BDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4894BDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 12A | 搜索库存 |
替代型号SI4894BDY-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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