SI4835DDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -8.70 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5.6 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI4835DDY-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI4835DDY-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4835DDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.7 A, -30 V, 14 mohm, -10 V, -3 V | 搜索库存 |
替代型号SI4835DDY-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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