SIS407ADN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0073 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 39.1 W
上升时间 4 ns
下降时间 36 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
封装 1212
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
SIS407ADN-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIS407ADN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIS407ADN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -20 V, 0.0073 ohm, -4.5 V, -1 V 新 | 搜索库存 |