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SI2323CDS-T1-GE3

SI2323CDS-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI2323CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -400 mV

The is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, PA switch and DC-to-DC converter applications.

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100% Rg tested
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-55 to 150°C Operating temperature range
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Halogen-free

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
P-沟道 20 V 0.039 Ohm 2.5 W 表面贴装 功率 MosFet - SOT-23-3


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R


SI2323CDS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.032 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

SI2323CDS-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI2323CDS-T1-GE3
型号 制造商 描述 购买
SI2323CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI2323CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -400 mV 搜索库存
替代型号SI2323CDS-T1-GE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI2323CDS-T1-GE3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: SOT-23 P-Channel

当前型号

VISHAY  SI2323CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -400 mV

当前型号

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