SQ3419EEV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.041 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 5 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOP
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SQ3419EEV-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQ3419EEV-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SQ3419EEV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -7.4 A, -40 V, 0.041 ohm, -10 V, -1.5 V | 搜索库存 |