SI5406CDC-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.027 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.3 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1100pF @6VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2300 mW
封装参数
引脚数 8
封装 1206
外形尺寸
高度 1.1 mm
封装 1206
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI5406CDC-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI5406CDC-T1-GE3
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
SI5406CDC-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI5406CDC-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 12V, 6A, 1206 | 搜索库存 |
替代型号SI5406CDC-T1-GE3
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: SI5406CDC-T1-GE3 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: ChipFET-8 N-Channel 12V 6A | 当前型号 | VISHAY SI5406CDC-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 12V, 6A, 1206 | 当前型号 | |
型号: SI5406DC-T1-GE3 品牌: 威世 封装: 1206 N-Channel 12V 9.5A | 类似代替 | VISHAY SI5406DC-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 12V, 9.5A | SI5406CDC-T1-GE3和SI5406DC-T1-GE3的区别 |