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SIA436DJ-T1-GE3

SIA436DJ-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SIA436DJ-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 8 V, 0.0078 ohm, 4.5 V, 350 mV

**Features:

**

* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

**

* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

**

* 100% Rg and UIS Tested**

**

* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

**

* Switch Mode Power Supplies**

**

* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


Allied Electronics:
SIA436DJ-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 12 A, 8 V, 6-Pin PowerPAK SC-70


安富利:
Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


Newark:
# VISHAY  SIA436DJ-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 8 V, 0.0078 ohm, 4.5 V, 350 mV


儒卓力:
**N-CHAN.FET 12A 8V PP-SC70-6 **


SIA436DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.0078 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 19 W

阈值电压 350 mV

漏源极电压Vds 8 V

输入电容Ciss 1508pF @4VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 19 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.7 mm

高度 0.8 mm

封装 SC-70

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SIA436DJ-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SIA436DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SIA436DJ-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 8 V, 0.0078 ohm, 4.5 V, 350 mV 搜索库存
替代型号SIA436DJ-T1-GE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SIA436DJ-T1-GE3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: PowerPAK N-Channel

当前型号

VISHAY  SIA436DJ-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 8 V, 0.0078 ohm, 4.5 V, 350 mV

当前型号

型号: SIA414DJ-T1-GE3

品牌: 威世

封装: SC-70 N-Channel 8V 12A

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