SI2316BDS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.08 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.25 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
输入电容Ciss 350pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-236
外形尺寸
高度 1.02 mm
封装 TO-236
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI2316BDS-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI2316BDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI2316BDS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4.5A, TO-236 | 搜索库存 |