锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SI4447DY-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, 4.5A, SOIC

**Features:

**

* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

**

* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

**

* 100% Rg and UIS Tested**

**

* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

**

* Switch Mode Power Supplies**

**

* Personal Computers and Servers**

**

* Telecom Bricks

* VRMs and POL


e络盟:
VISHAY  SI4447DY-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, 4.5A, SOIC


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
Single P-Channel 40 V 0.054 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI4447DY-T1-E3  MOSFET Transistor, P Channel, -4.5 A, -40 V, 72 mohm, 16 V, -2.2 V


SI4447DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.072 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.1 W

漏源极电压Vds -40.0 V

连续漏极电流Ids -4.50 A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 805pF @20VVds

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI4447DY-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI4447DY-T1-E3
型号 制造商 描述 购买
SI4447DY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI4447DY-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, 4.5A, SOIC 搜索库存