SI2316DS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.042 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 700 mW
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3.40 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 215pF @15VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700 mW
封装参数
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
高度 1.02 mm
封装 SOT-23
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SI2316DS-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI2316DS-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI2316DS-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3Pin SOT-23 T/R | 搜索库存 |