SIA445EDJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.0135 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 19 W
输入电容Ciss 2130pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 19 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70
外形尺寸
长度 1.7 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.8 mm
封装 SC-70
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIA445EDJ-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIA445EDJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIA445EDJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -20 V, 0.0135 ohm, -4.5 V, -500 mV | 搜索库存 |