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SI2323DS-T1-GE3

SI2323DS-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI2323DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -20 V, 0.031 ohm, -4.5 V, -1 V

**Features:

**

* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

**

* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

**

* 100% Rg and UIS Tested**

**

* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


e络盟:
VISHAY  SI2323DS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.7A TO-236


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
单 P沟道 20 V 0.039 Ω 19 nC 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-23


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# VISHAY  SI2323DS-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -3.7 A, -20 V, 0.031 ohm, 8 V, -1 V


SI2323DS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.031 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 750 mW

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -4.70 A

上升时间 43 ns

输入电容Ciss 1020pF @10VVds

下降时间 48 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI2323DS-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI2323DS-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI2323DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -20 V, 0.031 ohm, -4.5 V, -1 V 搜索库存
替代型号SI2323DS-T1-GE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI2323DS-T1-GE3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: TO-236 P-Channel -20V -4.7A

当前型号

VISHAY  SI2323DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -20 V, 0.031 ohm, -4.5 V, -1 V

当前型号

型号: DMG3415U-7

品牌: 美台

封装: SOT23-3 P-Channel 20V 4A

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品牌: 威世

封装: SOT-23 P-Channel -20V -4.7A 39mohms

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型号: SI2323DDS-T1-GE3

品牌: 威世

封装: P-Channel

功能相似

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

SI2323DS-T1-GE3和SI2323DDS-T1-GE3的区别