锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SI1422DH-T1-GE3

SI1422DH-T1-GE3

数据手册.pdf

N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R


Allied Electronics:
SI1422DH-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 4 A, 12 V, 6-Pin SOT-363


富昌:
单 N沟道 12 V 0.026 Ω 7.5 nC 功率 Mosfet - SOT-363 SC-70-6


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 12V 4A 6-Pin SC-70 T/R


Newark:
# VISHAY  SI1422DH-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 4 A, 12 V, 0.021 ohm, 4.5 V, 400 mV


SI1422DH-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.021 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.8 W

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 12 V

输入电容Ciss 725pF @6VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI1422DH-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI1422DH-T1-GE3
型号 制造商 描述 购买
SI1422DH-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor 搜索库存