SIA459EDJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.028 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 15.6 W
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 6
封装 PowerPAK-SC70-6
外形尺寸
封装 PowerPAK-SC70-6
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIA459EDJ-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SIA459EDJ-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIA459EDJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIA459EDJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -9 A, -20 V, 0.028 ohm, -4.5 V | 搜索库存 |