SI1070X-T1-GE3

Vishay Semiconductor(威世) 分立器件

N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition * TrenchFET® Power MOSFET * 100 % Rg and UIS Tested * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

欧时:
### N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

贸泽:
MOSFET 30V 1.2A 0.236W 99mohm @ 4.5V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R

Newark:
# VISHAY SI1070X-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 1.2 A, 30 V, 0.082 ohm, 4.5 V, 1.55 V

SI1070X-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.14 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 236 mW

阈值电压 1.55 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 1.20 A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 385pF @15VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.236 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-89-6

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.6 mm

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI1070X-T1-GE3引脚图与封装图

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