SI5855CDC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.222 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.3 W
漏源极电压Vds -20.0 V
连续漏极电流Ids -3.70 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.8 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 1206
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.1 mm
封装 1206
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI5855CDC-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI5855CDC-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |