SI3442BDV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.045 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 860 mW
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 50 ns
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.86 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
外形尺寸
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
高度 1 mm
封装 TSOP
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI3442BDV-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI3442BDV-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3442BDV-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号SI3442BDV-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： SI3442BDV-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TSOP N-Channel 3A 90mohms | 当前型号 | N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： SI3442BDV-T1-GE3 品牌： 威世 封装： TSOP N-Channel 20V 4.2A | 功能相似 | VISHAY SI3442BDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 1.8 V | SI3442BDV-T1-E3和SI3442BDV-T1-GE3的区别 |