![SIB410DK-T1-GE3](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_348/chanpintu/sib410dk-t1-ge3-bOERHjVd-3jdz1pW7q.png)
SIB410DK-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.034 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 400 mV
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 560pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
引脚数 6
封装 SC-75-6
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.75 mm
封装 SC-75-6
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIB410DK-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SIB410DK-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N沟道30 V (D -S )的MOSFET N-Channel 30 V D-S MOSFET | 搜索库存 |