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SI2318DS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SI2318DS-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 3.9A, TO-236, 整卷

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
N 沟道 40 V 0.045 Ohm 0.75 W 功率 Mosfet 表面贴装 - SOT-23-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# VISHAY  SI2318DS-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 3.9 A, 40 V, 0.036 ohm, 20 V, 3 V


SI2318DS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.036 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 750 mW

阈值电压 3 V

输入电容 540pF @20V

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 3.90 A

上升时间 12 ns

热阻 100℃/W RθJA

输入电容Ciss 540pF @20VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

SI2318DS-T1-E3引脚图与封装图
SI2318DS-T1-E3引脚图

SI2318DS-T1-E3引脚图

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SI2318DS-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI2318DS-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 3.9A, TO-236, 整卷 搜索库存