SI3443CDV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.05 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3.2 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids -4.70 A, 3.90 A
输入电容Ciss 610pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
外形尺寸
高度 1 mm
封装 TSOP
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Portable Devices
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
SI3443CDV-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3443CDV-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI3443CDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.97 A, -20 V, 50 mohm, -4.5 V, -600 mV | 搜索库存 |
替代型号SI3443CDV-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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