SIB488DK-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2400 mW
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 725pF @6VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-75-6
外形尺寸
高度 0.75 mm
封装 SC-75-6
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIB488DK-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SIB488DK-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N沟道12 V （D -S ）的MOSFET N-Channel 12 V D-S MOSFET | 搜索库存 |