SI1403BDL-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 150 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 568 mW
漏源极电压Vds -20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 1.50 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 568 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SC-70
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI1403BDL-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1403BDL-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5-V G-S MOSFET | 搜索库存 |