SI3421DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.016 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 4.2 W
输入电容Ciss 2580pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
外形尺寸
高度 1 mm
封装 TSOP
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC版本 2015/12/17
SI3421DV-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3421DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI3421DV-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -8A, TSOP-6 | 搜索库存 |