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SI1302DL-T1-E3

SI1302DL-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SI1302DL-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 640 mA, 30 V, 0.41 ohm, 10 V, 1 V

The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

.
-55 to 150°C Operating temperature range

欧时:
### N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R


富昌:
单通道 N 沟道 30 V 0.48 ohm 表面贴装 功率 MOSFET - SC-70-3


Newark:
# VISHAY  SI1302DL-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 640 mA, 30 V, 0.41 ohm, 10 V, 3 V


SI1302DL-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.41 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 310 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 640 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.28 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI1302DL-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI1302DL-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI1302DL-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 640 mA, 30 V, 0.41 ohm, 10 V, 1 V 搜索库存
替代型号SI1302DL-T1-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI1302DL-T1-E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: SOT-323 N-Channel 30V 640mA 480mohms

当前型号

VISHAY  SI1302DL-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 640 mA, 30 V, 0.41 ohm, 10 V, 1 V

当前型号

型号: 2N7002PW

品牌: 恩智浦

封装: SOT-323 N-Channel 60V 0.31A

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