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SCT2160KEC

SCT2160KEC

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

ROHM  SCT2160KEC  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, 18 V, 4 V

N 通道 SiC MOSFET ,ROHM

碳化硅 SiC MOSFET 相比硅同类产品,具有较低开关损耗和超高温度操作特性,适用于高效高频率开关应用。


得捷:
SICFET N-CH 1200V 22A TO247


欧时:
SiC MOSFET,N-channel,1200V,22A,TO247


立创商城:
N沟道 1.2kV 22A


贸泽:
MOSFET 1200V20A160mOhm Silicon Carbide SiC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans SiC MOSFET N-CH 1200V 22A 3-Pin TO-247 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# ROHM  SCT2160KEC  Power MOSFET, N Channel, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, 18 V, 4 V


儒卓力:
**SiC-N 1200V 22A 160mOhm TO247-3 **


SCT2160KEC中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.16 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 165 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 1.2 kV

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 1200pF @800VVds

额定功率Max 165 W

下降时间 27 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 165W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.9 mm

宽度 20.95 mm

高度 5.03 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 替代能源, 电机驱动与控制, Alternative Energy, 电源管理, Motor Drive & Control, HVAC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

SCT2160KEC引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SCT2160KEC ROHM Semiconductor 罗姆半导体 ROHM  SCT2160KEC  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, 18 V, 4 V 搜索库存