SCT2280KEC
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
针脚数 3
漏源极电阻 0.28 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 108 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 1200 V
连续漏极电流Ids 14A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 667pF @800VVds
额定功率Max 108 W
下降时间 29 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 108W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 20.95 mm
宽度 15.9 mm
高度 5.03 mm
封装 TO-247-3
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, HVAC, 替代能源, 电源管理, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Alternative Energy
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SCT2280KEC | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM SCT2280KEC 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, 18 V, 4 V | 搜索库存 |