SI1011X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 190 mW
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 62pF @6VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-89
外形尺寸
高度 0.8 mm
封装 SC-89
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI1011X-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1011X-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET P-CH 12V 0.48A 3Pin SC-89 T/R | 搜索库存 |