SI1062X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.35 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 220 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 43pF @10VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.22 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-89-3
外形尺寸
长度 1.7 mm
宽度 0.95 mm
高度 0.8 mm
封装 SC-89-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
SI1062X-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI1062X-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor | 搜索库存 |