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SI1062X-T1-GE3

SI1062X-T1-GE3

数据手册.pdf

N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

* TrenchFET® Power MOSFET * Gate-Source ESD Protected: 1000 V


欧时:
### N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R


富昌:
单 N沟道 20 V 0.42 Ω 1.8 nC 表面贴装 功率 Mosfet - SC-89


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R


Newark:
# VISHAY  SI1062X-T1-GE3  MOSFET, N-CH, 20V, 0.53A, SC-89 New


SI1062X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.35 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 220 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 43pF @10VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.22 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-89-3

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 0.95 mm

高度 0.8 mm

封装 SC-89-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

SI1062X-T1-GE3引脚图与封装图
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