SMBT3906SE6327HTSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

SOT-363 PNP 40V 0.2A

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 40V 200mA 250MHz 330mW Surface Mount PG-SOT363-6

得捷:
TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363

Win Source:
TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363

SMBT3906SE6327HTSA1中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SMBT3906SE6327HTSA1引脚图与封装图

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